Подвижность носителей тока в твердых растворах Ge$_{1-x}$Si$_{x}$

Проведен анализ подвижности носителей тока в твердых растворах Ge$_{1-x}$Si$_{x}$ исходя из предположения о неоднородном распределении атомов Si по образцу. Показано, что экспериментально найденная температурная зависимость подвижности как в $p$-, так и в $n$-материале удовлетворительно описывается в рамках диффузионного приближения.