Нестационарная емкостная спектроскопия глубоких уровней в твердых растворах: донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$

Рассмотрены особенности нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в твердых растворах полупроводников, связанные с наличием в них флуктуирующего потенциала, приводящего к расщеплению и сдвигу энергетических уровней дефектов. В предположении Гауссова уширения ГУ проведено моделирование спектров НЕСГУ, позволяющее по экспериментальным данным корректно определять среднюю энергию ионизации, дисперсию распределения и концентрацию глубоких центров в твердых растворах. В качестве примера исследован донорный уровень в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$. Его энергия ионизации составляла 195 мэВ в GaP и возрастала до 370 мэВ при ${x=0.62}$. В области прямозонных составов средняя энергия ионизации была практически неизменной и равной ${\sim340}$ мэВ. Концентрация центров равнялась ${(2\div5)\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ в GaP, становилась максимальной ($10^{16}\,\text{см}^{-3}$) при ${x=0.41}$ и резко падала с приближением к GaAs. При ${x< 0.18}$ уровень не наблюдался. Определена дисперсия уширения ГУ в зависимости от состава.