Рекомбинация носителей заряда в арсениде галлия, содержащем области скопления дефектов

Изучается влияние электрического поля радиационно-введенных областей скопления дефектов (ОСД) в арсениде галлия на рекомбинацию носителей заряда.
Показано, что распределение концентрации неравновесных неосновных носителей заряда как функция потенциала барьера $\Delta p_{c}(\psi)$ из-за действия электрического поля ОСД обнаруживает сильное отклонение от известного больцмановского выражения.
Установлено, что вид зависимости времени жизни $\tau$ от уровня возбуждения $\delta$ коррелирует с видом потенциальной функции распределения концентрации носителей $\Delta p_{c}(\psi)$: 1)  зависимость $\tau(\delta)$ является немонотонной, если $\Delta p_{c}(\psi)$ сильно отличается от больцмановского выражения; 2)  ${\tau\simeq\mathrm{const}}$ или $\tau$ убывает с ростом $\delta$, если функция $\Delta p_{c}(\psi)$ совпадает с больцмановским выражением или близка к нему.