Кинетика фотоотклика и спектры $Q$-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As, изготовленных МОС гидридным методом

Проведено исследование кинетики фотоотклика $V_{\text{ф}}(t)$ зарядовых релаксационных характеристик гетероструктур (ГС) $n$-GaAs$-$Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As и $n$-GaAs$-$Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As-$n$-GaAs с изолирующим слоем Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As, изготовленных МОС гидридным методом на $n^{+}$-GaAs-подложках. Показано, что анализ зависимостей $V_{\text{ф}}(t)$, полученных при больших интенсивностях импульсного освещения, позволяет определять изгиб зон в эпитаксиальных слоях GaAs на границе с изолирующим слоем Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As и находить величину изменения изгиба зон в каждом из слоев при приложении напряжения смещения. Изучение кинетики фотоотклика и спектров $Q$-DLTS структур с различной толщиной эпитаксиальных слоев показало, что обедняющие изгибы зон в слоях $n$-GaAs на границе с изолирующим слоем Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As в значительной степени обусловлены наличием в Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As фиксированного отрицательного заряда, а обнаруженные процессы перезарядки, протекающие с энергиями активации 0.5 и 0.35 эВ (два пика в спектрах $Q$-DLTS), связаны с ловушками в Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As, интегральная плотность которых не превышает ${\sim5\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$. Спектры $Q$-DLTS получены при использовании как температурной развертки, так и развертки по временному окну.