Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках

Теоретически исследуются и сравниваются модели туннельной излучательной рекомбинации для легированного сильно компенсированного кристаллического полупроводника и аморфного полупроводника. Для обеих моделей строится картина стационарного состояния системы при постоянной фотогенерации носителей. Получены зависимости концентрации неравновесных носителей и положения максимума люминесценции от скорости генерации. При увеличении скорости генерации спектр люминесценции сдвигается в коротковолновую сторону. В легированном полупроводнике это происходит благодаря экранировке неравновесными носителями крупномасштабного кулоновского потенциала, а в аморфном полупроводнике — благодаря заполнению локализованных состояний хвостов зон неравновесными носителями.