Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных структурах на основе селенида галлия

Исследовано влияние нейтронного и $\gamma$-облучения на фотоэлектрические характеристики фоточувствительных структур на основе слоистых монокристаллов $p$-GaSe. Обсуждаются схема энергетических уровней (рекомбинации, свечения и прилипания), механизмы термического гашения и активации фототока в базовой области структур. Радиационное фотоочувствление при малых дозах связано с преимущественным образованием пар дефектов по подрешетке Ga и Se   — центров фоточувствительности и прилипания (глубокие компенсированные доноры и мелкие акцепторы соответственно).