RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 1,
страницы
166–168
(Mi phts3204)
Краткие сообщения
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых подложках
В. А. Быковский
,
Т. И. Кольченко
,
В. М. Ломако
, С. Е. Мороз
Полный текст:
PDF файл (474 kB)
©
МИАН
, 2024