RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 1, страницы 166–168 (Mi phts3204)

Краткие сообщения

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на германиевых подложках

В. А. Быковский, Т. И. Кольченко, В. М. Ломако, С. Е. Мороз




© МИАН, 2024