Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As

При 2 K исследован край поглощения слоев In$_{1-x}$Ga$_{x}$As, выращенных жидкофазной эпитаксией на подложках InP при ${x\approx0.47}$. Анализ расщепления экситонной структуры на краю поглощения позволяет разделить вклады в деформацию рассогласования решеток слоя и подложки $\Delta a_{\perp}/a_{\parallel}$ изменений состава по $x$, различного термического расширения подложки и слоя, и собственно ростовых напряжений. Это дает возможность точно установить значение запрещенного зазора ${\varepsilon_{g}^{0}(2\,\text{K})=815.1\pm0.1}$ мэВ для состава ${x^{*}=0.468}$ с совпадающими при 295 K параметрами решеток слоя и подложки, рассчитать величины зазора и деформаций при комнатной температуре при различных составах $x\approx x^{*}$.