К модели эффекта радиационно-стимулированного упорядочения в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

Проведен анализ зависимости величины эффекта радиационно-стимулированного увеличения времени жизни неосновных носителей тока $\tau$ в полупроводнике при малых дозах облучения $\Phi$ от концентрации исходных и введенных облучением центров рекомбинации и температуры измерения с учетом пространственной локализации эффекта вблизи границ раздела. Для этого зависимость $\tau$ от $\Phi$ представленa в виде ${\frac{1}{\tau}=\frac{1}{\tau_{0}}+k_{\tau}\Phi-A(\Phi,\tau_{0})}$, где $k_{\tau}$ — коэффициент радиационной деградации времени жизни, определяемый для области больших доз, а $A$ — величина, описывающая эффект упорядочения. Эксперимент, проведенный на структурах Au$-$GaAs, облучаемых электронами с энергией ${\sim2}$ МэВ или $\gamma$-квантами $^{60}$Co, подтверждает модель радиационно-стимулированного геттерирования исходных и введенных облучением центров рекомбинации границами раздела.