Эффект Френкеля$-$Пула в области прыжковой проводимости в слабо компенсированных полупроводниках

Измерены вольтамперные характеристики большого числа слабо легированных и слабо компенсированных образцов Si $n$- и $p$-типа в области прыжковой проводимости с постоянной энергией активации $\varepsilon_{3}$. Оказалось, что электропроводность экспоненциально растет с ростом электрического поля, что удается качественно объяснить эффектом уменьшения энергии отрыва носителей от заряженных компенсирующих примесей, аналогичным эффекту Френкеля$-$Пула. Построена теория, позволяющая вычислить число оторванных носителей с учетом перераспределения их между 1- и 2-комплексами. Хотя экспериментальные зависимости электропроводности от поля и температуры удовлетворяют предсказанному теорией скэйлингу, количественное согласие между экспериментом и теорией отсутствует.