Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в кристаллах $n$-ZnSe в умеренно сильных электрических полях

В области температур ${1.6\div4.2}$ K в кристаллах $n$-ZnSe изучалась зависимость электропроводности от напряженности электрического поля в умеренно сильных электрических полях. Найдено, что эффективная длина неомичности сравнима с длиной прыжка в омическом режиме или несколько превышает ее. Сделано предположение, что в исследованных кристаллах имеет место проводящая сетка с радиусом корреляции, превышающим длину прыжка в омическом режиме, и что рост электропроводности с нолем связан в большей степени с изменением проводимости ключевых сопротивлений, нежели с изменением путей протекания. Зависимость эффективной длины неомичности от температуры указывает на существование кулоновской щели в спектре плотности локализованных состояний.