Конфигурационные перестройки бистабильных центров в ковалентных полупроводниках — фазовые переходы второго рода

В арсениде галлия обнаружен новый радиационный конфигурационно-бистабильный дефект, отличающийся от известных подобных дефектов тем, что обладает температурной инверсией состояний. Показано, что конфигурационно-бистабильные перестройки можно рассматривать как фазовые переходы второго рода.