Микронеоднородности и примесная проводимость в пленках стеклообразного As$_{2}$Se$_{3}$, легированного Bi

Исследованы край оптического поглощения $\alpha(\hbar\omega$), электропоглощение $\Delta\alpha(\hbar\omega$) и температурная зависимость проводимости $\sigma(T)$ аморфных пленок As$_{2}$Se$_{3}$Bi$_{x}$ (${x=0.001}$, 0.01 и 0.1), полученных термическим напылением. Обнаружено отклонение спектра $\alpha(\hbar\omega$) от правила Урбаха, связанное с присутствием Bi в As$_{2}$Se$_{3}$ и свидетельствующее о микрогетерогенности структуры исследованных пленок. При измерениях $\sigma(T)$ вблизи ${T_{\alpha}\sim130^{\circ}}$С наблюдались необратимый рост проводимости и уменьшение ее энергии активации до величины, соответствующей аморфным пленкам Bi$_{2}$Se$_{3}$. Развиты представления о примесной проводимости в сильно компенсированном полупроводнике, где роль компенсирующей примеси играют собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией (${U<0}$), типичные для стеклообразных халькогенидов. На основании совокупности экспериментальных данных сделан вывод о том, что термически напыленные пленки As$_{2}$Se$_{3}$Bi$_{x}$ содержат кластеры, обогащенные Bi, определяющие примесный (дырочный) характер проводимости. Изменение $\sigma(T)$ при отжиге связывается с уменьшением степени компенсации примесных центров в кластерах собственными дефектами основной матрицы аморфной пленки.