Дрейфовая скорость горячих электронов в обогащенных слоях при нетемпературном характере их распределения по энергии

Путем монте-карловского машинного моделирования движения электронов в приповерхностных обогащенных слоях, поле в которых находилось самосогласованно (с помощью метода макрочастиц), найдена полевая зависимость дрейфовой скорости электронов (вдоль поверхности), а также рассчитаны координатные зависимости полной концентрации электронов и не совпадающие с ними зависимости концентрации $\Gamma$- и $L$-электронов в GaAs. Существенно нетемпературный характер распределения электронов по энергии в сочетании с учетом влияния поперечного поля обогащенного слоя приводит к заметному превышению дрейфовой скорости в обогащенном слое по сравнению со случаем однородного полупроводника (в области пиковых значении и на падающей ветви). Это превышение связано с более замедленным переходом под влиянием разогрева электронов из $\Gamma$-долины в $L$-долину.