Т. П. Ершова, С. Г. Ершов, В. Е. Жуков, В. В. Кораблев, В. Ю. Тюкин, “Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 2,страницы 323

Методика и результаты исследования кинетики поверхностной ЭДС в GaAs

Т. П. Ершова, С. Г. Ершов, В. Е. Жуков, В. В. Кораблев, В. Ю. Тюкин

Аннотация: Рассмотрен электронно-зондовый метод регистрации поверхностной ЭДС, возбужденной импульсным облучением поверхности полупроводника квантами света и электронами. Метод обладает высоким пространственным разрешением и широким динамическим диапазоном измеряемых времен релаксации области пространственного заряда. Проведено исследование кинетики поверхностной фотоэдс в GaAs и показано, что доминирующим механизмом формирования ЭДС является захват неравновесных носителей па поверхностные состояния.