Емкость приповерхностных слоев в кейновских полупроводниках в условиях размерного и магнитного квантования

Теоретически и из сопоставления с экспериментом (исследовались при ${T=4.2\div100}$ K МОП структуры на основе бесщелевого полупроводника Hg$_{0.875}$Cd$_{0.l25}$Te) показана необходимость учета размерного квантования при анализе емкостных характеристик приповерхностных слоев в кейновских полупроводниках. В области положительных изгибов зон получены универсальные аналитические аппроксимации для дифференциальной емкости классической и квантованной приповерхностных потенциальных ям. Из значений емкости в квантующих магнитных полях и анализа полевых зависимостей магнитоосцилляций емкости определены плотность состояний в магнитном поле и уширение уровней Ландау.