Электрофизические свойства пленок PbTe, облученных ионами аргона

Показано, что при облучении РbТе ионами аргона преимущественно создаются но разупорядоченные области, а точечные радиационные дефекты донорного типа, изменяющие электрические свойства материала на глубинах, значительно превышающих проективный пробег. Определено энергетическое положение соответствующего дефектам квазилокального уровня, стабилизирующего при больших дозах положение уровня Ферми и концентрацию электронов проводимости. Установлено, что послеимплантационный отжиг при $300^{\circ}$С возвращает свойства пленок к исходным.