RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 3, страницы 425–428 (Mi phts3259)

Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K

Н. А. Витовский, В. В. Емцев, Т. В. Машовец, В. В. Михнович, Д. С. Полоскин


Аннотация: Проанализированы соотношения вероятностей аннигиляции и разделения пар Френкеля в германии в различных условиях облучения электронами с энергией ${\sim1}$ МэВ и $\gamma$-лучами ${}^{60}$Со. Рассмотрено влияние на вероятность разделения пары Френкеля следующих факторов: температуры, при которой производится облучение, энергии бомбардирующих частиц или квантов, интенсивности облучения, знака и концентрации равновесных носителей заряда, времени жизни неравновесных носителей заряда в облучаемом материале.
Объяснены различия сечений дефектообразования, экспериментально наблюдаемых в разных условиях облучения.



© МИАН, 2024