Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного
кремния
О. А. Голикова
,
Э. П. Домашевская, М. М. Казанин
, В. Х. Кудоярова
,
М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина
, В. А. Терехов
, С. Н. Тростянский
Аннотация:
Приводятся результаты изучения взаимосвязи
структурных особенностей пленок аморфного гидрированного
кремния, полученных методом ВЧ разложения моносилана, и их электрических и
фотоэлектрических свойств. Исследовано влияние содержания
водорода, величины соотношения концентраций SiH-
и
SiH$_{2$-комп}лексов (
$\gamma$), степени разупорядочения
сетки на плотность локализованных
состояний в щели подвижности и положение уровня Ферми (
$\varepsilon_{F}$).
В ряде случаев, варьируя условия получения пленок, удается
обеспечить перемещение
$\varepsilon_{F}$ к краю подвижности зоны
проводимости в пределах до 0.3 эВ. Установлено, что величина
$\gamma$
не является решающим фактором в изменении ширины «хвоста»
плотности состояний зоны проводимости и сдвига
$\varepsilon_{F}$. Изменение числа оборванных Si
$-$Si-связей также не
приводит к смещению
$\varepsilon_{F}$, хотя величина
плотности состояний вблизи
$\varepsilon_{F}$ возрастает. Обнаружена
трансформация плотности состояний, которая коррелирует со сдвигом
$\varepsilon_{F}$ (расплыванием максимума плотности к середине щели подвижности);
наблюдаемый эффект интерпретируется в рамках модели «слабой»
Si
$-$Н
$-$Si-связи.