RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 3, страницы 450–455 (Mi phts3264)

Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного кремния

О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Казанин, В. Х. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский


Аннотация: Приводятся результаты изучения взаимосвязи структурных особенностей пленок аморфного гидрированного кремния, полученных методом ВЧ разложения моносилана, и их электрических и фотоэлектрических свойств. Исследовано влияние содержания водорода, величины соотношения концентраций SiH- и SiH$_{2$-комп}лексов ($\gamma$), степени разупорядочения сетки на плотность локализованных состояний в щели подвижности и положение уровня Ферми ($\varepsilon_{F}$). В ряде случаев, варьируя условия получения пленок, удается обеспечить перемещение $\varepsilon_{F}$ к краю подвижности зоны проводимости в пределах до 0.3 эВ. Установлено, что величина $\gamma$ не является решающим фактором в изменении ширины «хвоста» плотности состояний зоны проводимости и сдвига $\varepsilon_{F}$. Изменение числа оборванных Si$-$Si-связей также не приводит к смещению $\varepsilon_{F}$, хотя величина плотности состояний вблизи $\varepsilon_{F}$ возрастает. Обнаружена трансформация плотности состояний, которая коррелирует со сдвигом $\varepsilon_{F}$ (расплыванием максимума плотности к середине щели подвижности); наблюдаемый эффект интерпретируется в рамках модели «слабой» Si$-$Н$-$Si-связи.



© МИАН, 2024