RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 3, страницы 471–477 (Mi phts3268)

Высокочастотная проводимость $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te вблизи перехода металл$-$диэлектрик

Б. А. Аронзон, А. В. Копылов, Е. З. Мейлихов


Аннотация: Проведены экспериментальные исследования распространения СВЧ волн (${\omega=2\cdot10^{11}\,\text{с}^{-1}}$) в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в магнитных полях ${B\leqslant7}$ Т при 4.2 K. Установлено, что в магнитных полях, превышающих поле перехода металл$-$диэлектрик, значения компонент тензора высокочастотной проводимости отличаются от их значений, измеренных на постоянном токе, а диэлектрическая проницаемость возрастает в 1.3$-$1.8 раза. Сравнение результатов эксперимента и модельного расчета подтверждает схему перехода, основанную на локализации электронов в ямах крупномасштабного флуктуационного потенциала, а также свидетельствует о наличии в материале $n$-типа включении $p$-типа (доля объема, занятого последними, ${\lesssim0.2}$).



© МИАН, 2024