Кинетика тока, ограниченного объемным зарядом, в полупроводниковых $n^{+}{-}p{-}p^{+}$-структурах

Теория переходных токов, ограниченных объемным зарядом, развитая для изоляторов и полностью обедненных полупроводников, обобщается на случай недообедненных структур с блокирующими контактами при условии, что времена максвелловской релаксации в области пространственного заряда и в электронейтральной области совпадают. Показано, что в такой структуре одновременно с индукцией поля в базу в ней происходит дрейф равновесных носителей, приводящий к значительной экранировке поля. Прослежены основные особенности протекания процесса.