RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 3, страницы 505–507 (Mi phts3274)

Рентгеночувствительность моноселенида галлия

В. М. Арутюнян, М. Л. Димаксян, В. Л. Элбакян, Г. Е. Григорян


Аннотация: При комнатной температуре исследовано влияние модулированного рентгеновского излучения на добавочный ток через слоистые кристаллы $p$-GaSe. Получено эмпирическое выражение для добавочного тока от мощности излучения, частоты модуляции и напряжения смещения, хорошо описывающее экспериментальные результаты. Высокая рентгеночувствительностъ дает основание рекомендовать GaSe для использования в дозиметрии рентгеновского излучения.



© МИАН, 2024