Реакции центров золота с отрицательной корреляционной энергией в твердых растворах Si$-$Ge

Исследованы процессы тушения и регенерации фотопроводимости в твердых растворах Si$-$Ge, содержащих центры Аu$^{0}$ и донорно-акцепторные пары Р$^{+}{-}$Аи$^{-}$. Полученные результаты объясняются в рамках модели глубокого центра с локальной отрицательной корреляционной энергией, туннелирующего при перезарядке между позициями off-центра и узлом решетки. Показано, что тушение и регенерация фотопроводимости определяются пиннингом уровня Ферми вблизи поверхности кристалла и динамикой туннелирования центров золота, которая в условиях внешнего и внутреннего электрических полей зависит от величины штарк-эффекта на глубоком дефекте.