Об определении параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии глубоких уровней (ФЭРСГУ)

Проанализирована возможность определения концентрации глубоких центров в высокоомных полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии глубоких уровней (ФЭРСГУ). Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными для модельных объектов — мелких примесей в области температур их вымораживания. Показано, что метод ФЭРСГУ действительно позволяет находить необходимые параметры центров: энергию ионизации, сечение захвата носителей, концентрацию. Приводятся, кроме того, результаты измерений методом ФЭРСГУ для полуизолирующих нелегированных кристаллов арсенида галлия.