Возникновение дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в $6H$-SiC при генерации избыточных углеродных вакансий

В эпитаксиальных слоях $6H$-SiC, выращенных сублимационным «сэндвич-методом», при высоких скоростях роста обнаружена линейчатая люминесценция со спектром $D_{1}$ ранее наблюдавшаяся, как правило, в образцах SiC, облученных частицами высоких энергий. Центры этой дефектной люминесценции удалось также ввести путем диффузии из предварительно наращенного сильно легированного слоя SiC $p$-типа проводимости. Исследована зависимость интенсивности люминесценции от условий роста, содержания примесей и температуры термического отжига. В результате установлено, что в состав центра излучательной рекомбинации входит вакансия углерода. Сложный характер этого центра подтверждается тем, что коэффициент его диффузии в SiC (${\sim10^{-11}\,\text{см}^{2}}$/с) значительно меньше коэффициента диффузии одиночных вакансий.