Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых растворов InAsSbP и InGaAs

Приведены данные по температурной зависимости ЭЛ $p{-}n$-гомопереходов в твердых растворах InAsSbP, InGaAs для составов вблизи InAs и ДГС $n$-InAsSbP/$n$-InAs/$p$-InAsSbP в интервале ${4.2\div300}$ K.
Показано, что внутренний квантовый выход люминесценции в активной области ДГС $n$-InAs определяется конкуренцией излучательной и оже-рекомбинации с передачей энергии рекомбинирующих частиц электрону в зоне проводимости. Расчет показывает, что при изменении температуры от 77 до 300 K внутренний квантовый выход падает от 96 до 3%.
Охлаждение светодиодов на основе InAsSbP и InGaAs до ${250\div230}$ K увеличивает интенсивность излучения в 3$-$5 раз.