RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 607–611 (Mi phts3301)

Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах

А. С. Зубрилов, О. А. Котин, В. Б. Шуман


Аннотация: Получены диодные структуры площадью ${\sim1\,\text{см}^{2}}$, при пробое которых лавинный ток протекает практически по всей площади $p{-}n$-перехода. Изучена зависимость наклона линейного участка ВАХ диодов (дифференциального сопротивления) от скважности импульсов обратного тока и их длительности. Величина дифференциального сопротивления диодов определяется величиной ее термической составляющей, начинающей преобладать над изотермической при длительностях импульсов обратного тока более 10 мкс. Распределение температуры в диоде при пробое, или, что то же самое, зависимость термической составляющей дифференциального сопротивления на линейном участке ВАХ диода от длительности импульсов обратного тока может служить характеристикой однородности пробоя.



© МИАН, 2024