Фотолюминесцентные свойства твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением

Представлены результаты исследований электрических и фотолюминесцентных свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных рением. Показано, что по сравнению с нелегированными слоями эти растворы характеризуются улучшенными электрическими и люминесцентными свойствами. При легировании материала рением наблюдаются возрастание подвижности, уменьшение степени компенсации, изменение структуры спектра фотолюминесценции и увеличение ее интенсивности уже при малых уровнях легирования. Обсуждаются возможные варианты трактовки отмеченных особенностей.