Особенности дефектообразования в эпитаксиальном арсениде галлия, содержащем изовалентную примесь индия

Методом нестационарной емкостной спектроскопии исследовались остаточные глубокие центры в слоях GaAs, легированных индием в процессе роста при газофазной эпитаксии.
Установлено, что в результате изовалентного легирования происходит изменение концентрации электронных ловушек ${\it E1{-}E3}$ ($E_{c}-0.185$, $E_{c}-0.44$, $E_{c}-0.81$ эВ). Наблюдаемое по мере легирования уменьшение концентрации ловушки E3 (EL2) объясняется связыванием части междоузельных атомов As в упругом поле атомов In. Показано, что изменение концентраций E1 и E2, по-видимому, обусловлено дополнительной генерацией вакансий As в результате смещения равновесия реакции разупорядочения, по Френкелю, при введении третьей компоненты.