Кинетика фотоответа и механизм протекания тока в кремниевых структурах полупроводник–тонкий диэлектрик–полупроводник

Экспериментально и теоретически исследована кинетика установления фототока в кремниевых структурах полупроводник–диэлектрик–полупроводник (ПДП) со слоем проводящего диэлектрика толщиной ${d\simeq300}$ Å. Показано, что величина тока через диэлектрик квадратично зависит от падения напряжения на диэлектрике. Получены теоретические соотношения, позволяющие из измерений кинетики фототока определить ряд параметров ПДП структуры: толщину диэлектрика, скорость рекомбинации, емкость слоя пространственного заряда. Сделан практически важный вывод о том, что быстродействие фотодиода с ПДП структурой определяется такими же факторами, как у диодов с $p{-}n$-переходами.