Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах

Показано, что в эпитаксиальных $p{-}n$-структурах на основе карбида кремния политипа $6H$ с $p$-областью, выращенной методом сублимации, существует в диапазоне температур ${300\div800}$ K на протяжении 3 порядков по току термоинжекционная компонента тока ${j=j_{0}\exp(qV/\beta kT}$), характеризующаяся неклассическим значением температурно независимого коэффициента ${\beta=3/2}$. Экспериментальные данные, полученные из анализа вольтамперных характеристик, соответствуют термоинжекционной теории саа-нойса-шоклиевской рекомбинации в слое объемного заряда $p{-}n$-перехода, расширенной на случай рекомбинации через двухэлектронный центр. Согласно оценкам по этой модели, глубины мелкого уровня двухэлектронного центра для различных образцов находятся в диапазоне ${\Delta E=0.15\div0.25}$ эВ, что согласуется с литературными данными глубин мелких уровней в карбиде кремния.