Влияние облучения протонами на люминесценцию арсенида галлия

Изучено влияние протонного облучения и последующих изохронных отжигов на фотолюминесценцию легированных атомами цинка, теллура кристаллов $p$-GaAs. Показано, что протонное облучение приводит к появлению полосы излучения с максимумом вблизи 1.26 эВ и аномально большому (по сравнению с ожидаемым из радиационных изменений времени жизни избыточных электронов) уменьшению интенсивности краевого излучения с максимумом вблизи 1.5 эВ; отжиг облученных протонами кристаллов приводит, во-первых, к исчезновению излучения с максимумом вблизи 1.26 эВ и, во-вторых, к возгоранию, а затем гашению полос излучения с максимумами вблизи 1.39 и 1.18 эВ, а также к восстановлению первоначальной интенсивности краевой полосы люминесценции. Указанные изменения в спектрах люминесценции $p$-GaAs свидетельствуют о радиационно-стимулированном изменении структуры центров, формирующих в GaAs краевое излучение, вследствие ассоциации ими (а затем эмиссии) радиационных дефектов; об эффективном образовании при радиационном и радиационно-термических воздействиях пар As$_{i}$Zn$_{\text{Ga}}$, V$_{\text{As}}$Zn$_{\text{Ga}}$ и $V_{\text{Ga}}$Те$_{\text{As}}$, характеризующихся относительно невысокой термической стабильностью.