RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 677–683 (Mi phts3316)

Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции

В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров


Аннотация: Рассмотрена модель, позволяющая определить величину энергетического барьера миграции примесей переходных металлов в кремнии. В основе модели лежат понятия о потенциалах взаимодействия примесного атома с атомами окружения с учетом локальных искажений кристаллической решетки, различий в действии кристаллического поля на $d$-орбитали примесного атома при его нахождении в равновесном положении и в седловой точке. Показано влияние взаимодействия валентных электронов атомов кремния с $d$-электронами примесного атома на величину энергетического барьера миграции.



© МИАН, 2024