Аннотация:
Представлены результаты теоретического
расчета энергии миграции межузельных примесей переходных металлов в
кремнии. Установлены общие закономерности в изменении энергетического
барьера миграции от степени заполнения $d$-оболочки, качественно
согласующиеся с изменением ряда физико-химических свойств
$d$-элементов в зависимости от суммарного количества электронов
на внешних оболочках и поведением $d$-примесей в полупроводниках.
Хорошее качественное, а в ряде случаев и количественное согласие
теоретических и экспериментальных энергетических
барьеров миграции подтверждает пригодность разработанной
теоретической модели межузельной миграции к
прогнозированию поведения $d$-примесей в кремнии.