RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 684–687 (Mi phts3317)

Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. II. Теория миграции, сравнение с экспериментом

В. И. Фистуль, В. А. Шмугуров


Аннотация: Представлены результаты теоретического расчета энергии миграции межузельных примесей переходных металлов в кремнии. Установлены общие закономерности в изменении энергетического барьера миграции от степени заполнения $d$-оболочки, качественно согласующиеся с изменением ряда физико-химических свойств $d$-элементов в зависимости от суммарного количества электронов на внешних оболочках и поведением $d$-примесей в полупроводниках. Хорошее качественное, а в ряде случаев и количественное согласие теоретических и экспериментальных энергетических барьеров миграции подтверждает пригодность разработанной теоретической модели межузельной миграции к прогнозированию поведения $d$-примесей в кремнии.



© МИАН, 2024