Краткие сообщения

Сравнение параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках при измерении методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии в вариантах температурного и частотного сканирования

Э. М. Омельяновский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин