RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 4,
страницы
748–751
(Mi phts3339)
Краткие сообщения
Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении
$p$
-Si
Л. А. Казакевич
,
П. Ф. Лугаков
,
И. М. Филиппов
Полный текст:
PDF файл (652 kB)
©
МИАН
, 2024