RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 748–751 (Mi phts3339)

Краткие сообщения

Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si

Л. А. Казакевич, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов




© МИАН, 2024