RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 4, страницы 753–756 (Mi phts3341)

Краткие сообщения

Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования

Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Б. Воронков, В. Н. Ломасов, А. Д. Ремешок, В. Н. Ткаченко, М. Г. Толстобров




© МИАН, 2024