RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 4,
страницы
753–756
(Mi phts3341)
Краткие сообщения
Скорость введения и профиль концентрации
$A$
-центров в
$n$
-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
Л. С. Берман
,
Н. А. Витовский
,
В. Б. Воронков
,
В. Н. Ломасов
, А. Д. Ремешок
, В. Н. Ткаченко
, М. Г. Толстобров
Полный текст:
PDF файл (543 kB)
©
МИАН
, 2024