Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках

Рассмотрены спектральные и поляризационные характеристики рекомбинационной люминесценции горячих электронов в соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, главным образом в GaAs и InP. Дан краткий обзор результатов, полученных методами спектроскопии горячей фотолюминесценции в различных направлениях физики полупроводников, включая процессы релаксации (внутри- и междолинные переходы), структуру зон и примесных центров.