А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, И. Н. Тимченко, З. И. Чугуева, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5,страницы 780

Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb

А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, И. Н. Тимченко, З. И. Чугуева, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев

Аннотация: Исследованы коэффициент Холла, электропроводность, подвижность и магнитосопротивление в интервале температур 4.2$-$300 K в образцах $p$-GaSb с различным содержанием структурных дефектов, полученных жидкостной эпитаксией при изменении соотношения Ga и Sb в растворах-расплавах в присутствии нейтрального растворителя Рb. Изучено влияние этих дефектов на проводимость и рассеяние дырок.