Локализованные электронные состояния на дефектах полупроводниковой сверхрешетки

Построена теория электронных состояний, локализованных в одном измерении на дефектах полупроводниковой сверхрешетки. Такими дефектами могут быть различные нарушения периодичности сверхструктуры, при которых, однако, сохраняется однородность в плоскости слоев: нестандартная квантовая яма или барьер с иной шириной слоя или с иным составом, смещение гетерограницы и т. д. С помощью метода матриц перехода выведено уравнение для энергии локализованного электрона. Для некоторых типов дефектов рассчитаны энергия связи и длина локализации электрона. Отдельно проанализированы дефекты с малой энергией связи, когда применим метод эффективной массы электрона в сверхрешетке.