В. П. Евтихиев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов, “Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As”, Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 5,страницы 845

Особенности эффекта устойчивой фотопроводимости в селективно легированных двойных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga)As

В. П. Евтихиев, П. С. Копьев, М. Ю. Надточий, В. М. Устинов

Аннотация: Исследована спектральная чувствительность эффекта устойчивой фотопроводимости (УФП) в двойных селективно легированных гетероструктурах GaAs/$n$-(Al, Ga) As. Показано существование двух механизмов, которые вносят вклад в УФП при низких температурах: 1) фотовозбуждение $DX$-центров в легированном кремнием (Al, Ga)As : Si, 2) генерация электронно-дырочных пар в нелегированном (Al, Ga)As с последующим их разделением полем области объемного заряда вблизи квантовой ямы.