К теории деполяризации фотолюминесценции в полупроводниках типа арсенида галлия

Исследуется деполяризация горячей фотолюминесценции (ГФЛ) в эффективном магнитном поле, связанном с отсутствием центра инверсии в полупроводниках типа GaAs. Рассматривается ситуация, когда расщепление спиновых подуровней состояний зоны проводимости в этом поле не мало́ по сравнению с их шириной и во много раз превосходит ширину линии возбуждения. Показано, что в этих условиях деполяризация ГФЛ будет тем не менее описываться простыми соотношениями для эффекта Ханле; если ГФЛ определяется переходами из зоны с большой по сравнению с массой электрона в зоне проводимости эффективной массой, при наличии достаточно большого неоднородного уширения состояний, на которые идет рекомбинация.