RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 5,
страницы
885–887
(Mi phts3365)
Краткие сообщения
Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного
$n$
-Si
И. И. Колковский
,
П. Ф. Лугаков
,
В. В. Шуша
Полный текст:
PDF файл (461 kB)
©
МИАН
, 2024