Аннотация:
В квазидвумерных гетероструктурах (ГС) InGaAs/InP с модулированным
легированием обнаружены задержка формирования электрической
неустойчивости и подавление токового шнура магнитным полем. В трехмерных
ГС данные эффекты отсутствуют. Полученные результаты объясняются
влиянием топологических ограничений на сложную структуру протекания
тока в плоскости гетерограницы.