Аннотация:
Методами Ван-дер-Пау, токовой нестационарной спектроскопии
глубоких уровней, а также модуляционным, основанном на облучении образца
пучком электронов и монохроматическим ИК светом, исследуется механизм
компенсации многослойных структур на основе нелегированного GaAs,
выращенного методом жидкофазной эпитаксии, в зависимости от температуры
начала кристаллизации. Показано, что при
${T_{\text{н~кр}}=700{-}800^{\circ}}$С на $p^{+}$-GaAs : Zn
происходит рост $n^{0}$-слоя, в компенсации которого помимо мелкой
фоновой примеси принимают участие акцепторные глубокие уровни (ГУ) HL2
и HL5. При увеличении ${T_{\text{н~кр}}>800^{\circ}}$C
происходит образование $p^{+}{-}p^{0}{-}i{-}n^{0}$-структур, в компенсации
которых наряду с акцепторными дефектами и примесями с ГУ участвуют
донорные ГУ дефекта, подобного EL2. Проведенная
термообработка структур в диапазоне $500{-}850^{\circ}$С
показала их высокую термостабильность.