Дефектные полупроводники Ga$_{2}$S$_{3}$ и Ga$_{2}$Se$_{3}$, легированные железом

С помощью ЯГР спектроскопии, температурных зависимостей электропроводности ТОПЗ и токов ТСД исследованы дефектные полупроводники Ga$_{2}$S$_{3}$ и Ga$_{2}$Se$_{3}$, легированные железом сверх стехиометрии в концентрациях до 1 мол% (${\sim10^{20}\,\text{см}^{-3}}$). Установлено, что железо входит в кристаллическую решетку в виде Fe$^{2+}$, а изменения концентрации носителей при этом не превышают $10^{6}\,\text{см}^{-3}$. В запрещенной зоне легированных железом Ga$_{2}$S$_{3}$ и Ga$_{2}$Se$_{3}$ обнаружены ловушечные уровни с концентрацией ${\sim10^{12}{-}10^{13}\,\text{см}^{-3}}$. Полученные данные объясняются перезарядкой части атомов галлия в решетке (Ga${{}^{3+}\to\text{Ga}^{+}}$).