Экситонные эффекты в поглощении света дислокациями

Определен вклад внутрицентровых переходов в поглощение света дислокациями в полупроводниках с учетом экситонных эффектов. Рассчитано поглощение экситонами ядра дислокации, экситонами, локализованными полем деформационного потенциала, и экситонами смешанного типа. Показано, что поглощение экситонами первых двух видов может быть зарегистрировано современными спектральными методами. При гелиевых температурах интенсивность пиков поглощения, связанных с переходами между дислокационными зонами, всего в несколько раз меньше интенсивности полос поглощения, связанных с возбуждением дислокационных электронов в состояния объемных зон. Кратко рассмотрена возможная интерпретация пиков дислокационного поглощения света.