RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6, страницы 1088–1092 (Mi phts3410)

Исследование флуктуаций удельного сопротивления в $\gamma$-легированном кремнии

П. М. Гринштейн, Р. И. Гучетль, В. В. Заблоцкий, Н. А. Иванов, В. Ф. Космач, Н. Н. Леонов, В. В. Петренко, А. А. Стук, В. В. Федоров, В. А. Харченко, Е. С. Юрова


Аннотация: Исследованы флуктуации удельного сопротивления в кремнии $p$-типа проводимости, легированном алюминием методом ядерных реакций под действием $\gamma$-квантов при концентрациях вводимых атомов до $10^{14}\,\text{см}^{-3}$. Для ядерного легирования в качестве исходных использовались промышленные монокристаллы $n$- и $p$-типа проводимости диаметром от 30 до 82 мм. Облучение кремния $\gamma$-квантами тормозного излучения проводилось на линейном ускорителе электронов «Факел» при максимальной энергии $\gamma$-квантов ${\sim35}$ МэВ. С помощью четырехзондового метода и метода сопротивления растекания в точечном контакте были измерены профили распределения величин удельного сопротивления на торцевых поверхностях монокристаллов $\gamma$-легированного кремния (ГЛК). Рассмотрена зависимость величин разброса удельного сопротивления ГЛК от типа проводимости исходных материалов и степени легирования. Показано, что методика $\gamma$-легирования позволяет получать монокристаллы кремния $p$-типа проводимости с макро- и микронеоднородностями удельного сопротивления на уровне нескольких процентов.



© МИАН, 2024