Аннотация:
Исследованы флуктуации удельного сопротивления в кремнии
$p$-типа проводимости, легированном алюминием методом
ядерных реакций под действием $\gamma$-квантов при концентрациях
вводимых атомов до $10^{14}\,\text{см}^{-3}$. Для ядерного легирования в
качестве исходных использовались промышленные монокристаллы $n$- и
$p$-типа проводимости диаметром от 30 до 82 мм.
Облучение кремния $\gamma$-квантами тормозного излучения проводилось
на линейном ускорителе электронов «Факел» при
максимальной энергии $\gamma$-квантов ${\sim35}$ МэВ.
С помощью четырехзондового метода и метода сопротивления растекания в
точечном контакте были измерены профили распределения величин
удельного сопротивления на торцевых поверхностях
монокристаллов $\gamma$-легированного кремния (ГЛК). Рассмотрена
зависимость величин разброса удельного сопротивления
ГЛК от типа проводимости исходных материалов и степени легирования.
Показано, что методика $\gamma$-легирования позволяет
получать монокристаллы кремния $p$-типа проводимости с макро-
и микронеоднородностями удельного сопротивления на
уровне нескольких процентов.