RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1989
, том 23,
выпуск 6,
страницы
1106–1108
(Mi phts3416)
Краткие сообщения
Винтовая неустойчивость в Ge в условиях эксклюзии носителей заряда
В. В. Владимиров
, Б. И. Каплан
, А. Г. Коллюх
, В. К. Малютенко
Полный текст:
PDF файл (402 kB)
©
МИАН
, 2024