RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6, страницы 1106–1108 (Mi phts3416)

Краткие сообщения

Винтовая неустойчивость в Ge в условиях эксклюзии носителей заряда

В. В. Владимиров, Б. И. Каплан, А. Г. Коллюх, В. К. Малютенко




© МИАН, 2024