Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии

Для расплавов полупроводников на основе имеющихся экспериментальных данных установлена линейная зависимость между магнитной восприимчивостью $\chi$ и электропроводностью $\sigma^{1/2}$ (${\chi=\pm c\pm B\sigma^{1/2}}$). Теоретически показано, что это соотношение выполняется для металлов, вырожденных полупроводников и расплавов, металлизующихся при плавлении. Анализ полученного соотношения совместно с экспериментальными данными по электропроводности и магнитной восприимчивости показали, что зависимость плотности электронных состояний $N(\varepsilon)$ сильно отличается от $N_{0}(\varepsilon)$ нулевого приближения теории свободных электронов, представляя собой кривую с минимумом или кривую, имеющую точку перегиба вблизи энергии Ферми, причем для каждого из рассмотренных случаев ${d\sigma/dT > 0}$, ${d\chi/dT >0}$ и ${d\sigma/dT<0}$, ${d\chi/dT>0}$ уровень Ферми лежит на убывающей ветви зависимости $N(\varepsilon)$ .
Установленная линейная взаимосвязь ${\chi=f(\sigma^{1/2}})$ позволяет сделать определенные выводы относительно зависимости плотности электронных состояний в расплавах исследованных веществ от энергии. Полученное соотношение носит, на наш взгляд, фундаментальный характер и может быть использовано при анализе экспериментальных данных по магнитной восприимчивости и электропроводности и для других полупроводниковых систем с вырожденным электронным газом, в частности для аморфных и стеклообразных полупроводников.